In dem Fachpraktikum im B.Sc.: Halbleitertechnologie - PDBFET erlernen die Studentinnen und Studenten in einer kleinen Praktikumsgruppe:
- die praktischen Grundkenntnisse über die Prozesse, Anlagen und technologischen Herausforderungen der Herstellung eines sogenannten ""Planar-Doped Barrier MOSFETs" (PDBFETs), eines vertikalen MOSFETs mit einer Kanallänge im Sub-10 nm-Bereich.
- das selbständige Arbeiten im Reinraum und den Laboren des IHTs. Sowie die eigenständige elektrische Charakterisierung, Auswertung und Fehlerbetrachtung von Halbleiterbauelementen.
- die prinzipielle Funktionsweise eines PDBFETs. Können seine Charakteristika erklären und mit der eines kommerziellen Langkanal-MOSFETs vergleichen.
Bei Fragen zu dem Fachpraktikum wenden Sie sich bitte an Herrn Dr. Michael Oehme.
Die Anmeldung ist von dem 01.10.2018 bis zum 21.10.2018 möglich und erfolgt über C@MPUS (LV-Nummer 371203810).