Institut für Halbleitertechnik

Was für Kolloquien bietet das Institut für Halbleitertechnik an?

Kolloquien am IHT

Im Rahmen des Kolloquiums "Bauelemente und Technologien" darf das IHT jedes Semester zahlreiche nationale und internationale Rednerinnen und Redner aus Industrie und Forschung begrüßen, um ihre aktuelle Forschung zu präsentieren. 

Die einzlenen Termine werden jeweils unter Aktuelles und in den Social Media-Kanälen des Instituts bekannt gegeben.

Sommersemester 2019

Modular Multilevel Converters for Future Meshed High-Voltage Direct Current Grids
Frau Stefanie Heinig, Department of Electric Power & Energy Systems, School of Electrical Engineering, KTH Royal Institute of Technology, Schweden

Quantum State Preparation and Readout of Phonons
Ass. Prof. Christophe Galland, Laboratory of Quantum & Nano Optics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Schweiz

Recent Developments in Silicon Spintronics
Dr. Aurélie Spiesser, Research Scientist, Spintronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, Japan

Formation of Nano- and Barrier-Structures in Semiconductors Using Laser Radiation
Dr. Pāvels Onufrijevs, Institut für Technische Physik, Fakultät für Materialwissenschaften und angewandte Chemie, Riga Technical University, Riga, Lettland

Silicon-Based MMICs for Next Generation Active Phased-Array Antennas and FMCW Radar
Dr. Sébastien Chartier, Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme, Universität Stuttgart

Application of Group-IV Epitaxy for Production of Gate-All-Around Transistors
Dr. Andriy Hikavyy, Senior Researcher Epitaxy, IMEC, Leuven, Belgien

Advancements in Physics of Power Semiconductor Devices
Prof. Dr. Ray J. E. Hueting, Integrated Devices and Circuits (IDeaS) group, MESA+ Institute of Nanotechnology, University of Twente, Enschede, Niederlande

Reliability Engineering for Automotive Semiconductor Products
Ulrich Abelein, Division Automotive (IFAG ATV PTP MSF RQ), Infineon Technologies

Photo-induced Inverse Spin-Hall Effect: Electrical Detection of Optically Oriented Spins in Semiconductors
Prof. Dr. Federico Bottegoni, Dipartimento di Fisica, Politecnico di Milano, Mailand, Italien

Si, Ge, Sn, B, Sb, Ga, As – Woher kommen unsere ultrareinen Materialien?
Dr. Jan Freerks Riecken, Senior VP Sales & Marketing, PPM Pure Metals GmbH, Langelsheim

Magnetic Phase Interference in Artificial Magnetic Lattices: Functions and Applications to Optical, High-Frequency, and Spin Wave Devices
Prof. Dr. Mitsuteru Inoue, Executive Trustee and VP, Toyohashi University of Tech¬no-logy, Japan

Schulungsnachmittag „Lithographie“
Dr. Christian Koch, MicroChemicals GmbH, Ulm

Carbon Wonderland from an Engineering Perspective
Prof. Dr. Franz Kreupl, Professur für Hybride elektronische Syste¬me, Fakultät für Elek-trotechnik und Informationstech¬nik, Technische Universität München, München

III-V Nanowire TunnelFETs and MOSFETs
Prof. Dr. Lars-Erik Wernersson, Department of Electrical and Information Technology, Lund Technical University, Lund, Schweden

Tuning the Magnetic Properties of Mn5Ge3 by C-Doping
Prof. Dr. Lisa Michez, Maître de Conférences à Polytech-Marseille, Aix-Marseille Univer¬sité, CINaM-CNRS. Marseille, Frankreich

193 nm Excimer Laser Processing of Group IV Semiconductors, Biomaterials and Substrates
Prof. Dr. Stefano Chiussi, Departamento Física Aplicada, Universidade de Vigo, Spanie

Optoelectronics Based on GeSn Nanostructures
Viktoria Schlykow, Materials Research Department, Leibniz-Institut für innovative Mi-kroelektronik (IHP GmbH), Frank¬furt (Oder)

Photonic Device Applications of Ge Layers Epitaxially Grown on Si
Prof. Dr. Yasuhiko Ishikawa, Integrated Photonic Device Group, Department of Elec-tri¬cal & Electronic Information Engineering, Toyohashi University of Technology, Japan

Simulation, Measurement and Lowering of Self-Heating in Power Semiconductors
Prof. Martin Pfost, Lehrstuhl für Energiewandlung, Fakultät für Elektro-technik und Informationstech¬nik, Technische Universität Dortmund, Dortmund

Jobstrategie 2020 - Kompetenz-Profile der Zukunft
Miriam Specht, Yellow Frog, Stuttgart

Diamant für die Leistungselektronik
Dr. Verena Zürbig, Stellvertretende Geschäftsfeldleiterin „Diamantbauelemente“, FhG-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF), Freiburg

Making Smart Windows Smarter
Prof. Dr. Lynn Loo, Director of Andlinger Center for Energy and the Environment, Princeton University, Princeton, USA

PureB Devices and Technology
Prof. Dr. Liz Nanver, Semiconductor Components, University of Twente, Twente, Niederlande

Heterogene Systemintegration, Aufbau- und Verbindungstechnik multifunktionaler Systeme
Prof. Dr. Karlheinz Bock, Institut für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik, TU Dresden, Dresden

Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors for Flexible Electronics
Dr. Hagen Klauk, FG "Organische Elektronik", Max Planck Institut für Festkörper-
forschung, Stuttgart

SiGe Heteropetixy Beyond Micro-Electronics: Applications to
Mid-IR Photonics and Spintronics
Prof. Dr. Giovanni Isella, Dipartimento di Fisica, Politecnico Milano 1863, Mai-
land, Italien

High Mobility Strained Ge Low-Dimensional Systems
Dr. Maksym Myronov, Nano-Silicon Research Group, Department of Physics,
University of Warwick, Coventry, UK

Compound Semiconductor Based Microwave and Power Elec-
tronic Circuits
Prof. Dr. Ingmar Kallfaß, Institut für robuste Leistungshalbleitersysteme (ILH),
Universität Stuttgart, Stuttgart

Möglichkeiten und Grenzen bipolarer SiC-Leistungshalbleiterbauelemente
Dr. habil. Tobias Erlbacher, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bau-
elementtechnologie (IISB), Erlangen

Photonische Quantentechnologien: Von der Grundlagenforschung zu Anwendungen
Prof. Dr. Stefanie Barz, Institute for Functional Matter and Quantum Technolo-
gies, Universität Stuttgart, Stuttgart

Spin-Dependent Phenomena and Optical Properties of Ge-Based Heterostructures
Dr. Fabio Pezzoli, Dipartimento di Scienza die Materiali, Università di Milano-
Bicocca, Mailand, Italien

Doping of Ge and GeSn via Non-Equilibrium Processing
Dr. Slawomir Prucnal, HGF Nachwuchsgruppe Funktionsmaterialien, Helmholtz-
Zentrum Dresden-Rossendorf

A Novel Low-cost Bipolar-CMOS Integration with High-Performance Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT)
Prof. Dr. Tomislav Suligoj, Faculty of Electrical Engineering and Computing,
University of Zagreb, Zagreb, Kroatien

IC-basierte Sensorik für Anwendungen aus den Material- und Lebenswissenschaften
Jun.-Prof. Dr. Jens Anders, Institut für Mikroelektronik, Universität Ulm, Ulm

3D Printing of Complex Microoptics – Merging with Plasmonic Nanooptics
Prof. Dr. Harald Gießen, Universität Stuttgart, 4. Physikalisches
Institut, Stuttgart

Workshop „MIT-University of Stuttgart Seed Fund Project on Gate Stack Engineering for Ge-Based TFETs“: Sub-20 nm Fin-Width InGaSb p-channel FinFETs
Wenjie Lu, Microsystems Technology Laboratories (MTL),
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA

Die Angst des Tormanns beim Elfmeter oder: Wie ich lernte, den Businessplan zu lieben.
IHT-Alumni Dr. Oliver Boslau, Senior Vice President EMEA, VAT Vakuumventile AG
c/o VAT Deutschland GmbH, Grasbrunn b. München

Integrierte Lichtquellen aus Sicht der optischen Nachrichtentechnik
Prof. Dr. Manfred Berroth, Institut für elektrische und optische Nachrichtentechnik
(INT), Universität Stuttgart, Stuttgart

Funktionale Architektur: Anforderungen und Herausforderungen für Elektroingenieure
Jun.-Prof. Dr. Hanaa Dahy, Bio-based Materials and Materials Cycles in Archi-
tecture (BioMat), Institut für Tragkonstruktionen und Konstruktives Entwerfen,
Universität Stuttgart, Stuttgart

Monolayer Transition Metal Dichalcogenides for Light Emitting Diodes
Prof. Dr. Beata Kardynal, Forschungszentrum Jülich, Peter Grünberg Institut für
Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9), Jülich

TFET Research @ IBM
Dr. Kirsten Moselund, Materials Integration and Nanoscale Devices Group, IBM
Zurich Research Laboratory, Zürich, Schweiz

3D Nanoarchitectures in Nano-Electronic and Nano-Photonic Devices – Optimization Based on Correlative Microscopy
Prof. Dr. Silke H. Christiansen, Max Planck Institut für die Physik des Lichts, Erlangen

Ihr Ansprechpartner

Dieses Bild zeigt Michael Oehme

Michael Oehme


Akademischer Oberrat / Stellvertretende Institutsleitung

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