Gründung
Das Institut für Halbleitertechnik wurde am 1. April 1958 mit dem Dienstantritt von Prof. Dr.-Ing. habil. Joachim Dosse zunächst unter dem Namen Institut für Höchstfrequenztechnik gegründet. Mit seinen Arbeiten und Vorlesungen zum Transistor legte Prof. Dosse den Grundstein für die Halbleitertechnik an der damaligen Technischen Hochschule und heutigen Universität Stuttgart.
Folgerichtig wurde zum Wintersemester 1967/1968 das Institut für Höchstfrequenztechnik, das zu diesem Zeitpunkt in der Breitscheidstraße 2 im Zentrum Stuttgarts ansässig war, in Institut für Halbleitertechnik umbenannt. Damit einher ging die Gründung des Institutes für Hochfrequenztechnik (IHF), als dessen erster Leiter Prof. Dr.-Ing. Alois Egger berufen wurde.
Umzug auf den Universitätscampus Vaihung
1997/1998 ist das IHT von der Breitscheidstraße in den Neubau II der Elektrotechnischen Institute auf den Universitätscampus nach Vaihingen umziehen und erhielt dort einen modernen Reinraum mit einer Laborlinie für die Herstellung von SiGe:C-basierten Höchstfrequenzbauelementen.
Im Laufe der 2000er Jahre wurden die Prozesstechnologie und die Analytik des Institutes stetig weiter ausgebaut, was sich u. a. in der Anschaffung zweier weiterer Molekularstrahlepitaxieanlagen und eines 110-GHz-Netzwerkanalysators widerspiegelte.
Institutsleitung von der Gründung...
Von 1978 bis 1993 wurde das Institut von Prof. Dr. phil. nat. Waldemar von Münch geleitet. In dieser Zeit lag der Arbeitsschwerpunkt zunächst auf der Entwicklung von III/V-basierten Halbleiterbauelementen, später auf der Entwicklung von Silizium-basierten Sensoren und Aktoren.
Mit der Übernahme der Institutsleitung durch Prof. Dr. phil. Erich Kasper im Herbst 1993 wechselte der Arbeitsschwerpunkt hin zur Entwicklung und Fertigung von Höchstfrequenzbauelementen basierend auf Gruppe-IV-Halbleitermischkristallen bestehend aus Silizium, Germanium und Kohlenstoff (SiGe:C). Grundlage dafür war die Installation einer SiGe:C-Molekularstrahlepitaxieanlage, der heutigen "A-MBE", für die Kristallzucht unter Ultrahochvakuumbedingungen und einer adäquaten Mess- und Analysetechnik.
Von Oktober 2008 bis August 2021 wurde das IHT von Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze geleitet. In dieser Zeit erfolgte die Erweiterung der IHT-Forschungsaktivitäten auf dem Gebiet der Molekularstrahlepitaxie hin zu einer kompletten Gruppe-IV-Heteroepitaxie, die sich mit der Kristallzucht und Dotierung von SiGe:C:Sn-Kristallen beschäftigte. Diese bildete die Grundlage für die drei Bauelement-Kompetenzfelder "Advanced MOS-" und Bipolartechnik, Photonik und Quantenelektronik.
Seit September 2021 wird das IHT kommisarisch von Prof. Dr.-Ing. Norbert Frühauf geleitet.