Drittmittelprojekte

In AI-SEE wird eine neuartige Sensortechnologie mit zugehöriger KI entwickelt, die automatisiertes Fahren bei allen relevanten Wetter- und Lichtverhältnissen (z. B. Schnee, starker Regen oder Nebel) in einem 24h/365-Tage Modus ermöglicht. In dem Teilprojekt „Ge-onSi SPAD Array“ entwickeln wir gemeinsam mit unseren Partnern AMS und IBEO einen adaptiven SWIR (engl. für shortwave infrared )-LiDAR mit einem neuartigen SPAD (engl. für Single Photon Avalanch Diode) -Empfänger. Dieser ist in der Lage, über KI schlechtes Wetter zu antizipieren und sich an dieses anzupassen. Der Empfänger beruht auf einer „Ge-on-Si“ (Germanium on Silicon) Technologie.

Laufzeit: Juni 2021 bis Mai 2024

In dem Teilprojekt „Optimierte Heterointegration von Grundelementen auf der Siliziumplattform für die Quantenoptik“ werden InAs-basierte Quantenpunkte, die über einen SiGeSn Laser (Zener-Licht-Emitter-Konzept) angeregt werden, auf einen Siliziumbasierten Photonikchip mit Wellenleitern integriert. Die Lichtemission der Quantenpunkte wird mit SiGeSn Einzelphotonendetektoren detektiert. Das Projekt wird in Kooperation mit dem Institut für Halbleiteroptik und funktionelle Grenzflächen und dem 4. Physikalischen Institut durchgeführt.

Laufzeit: April 2021 - September 2025

Ziel des Projektes „Gruppe IV-Heterostrukturen für nanoelektronische Höchstleistungsbauelement“ ist die Erforschung integrierbarer, SiGeSn-basierter Transistorstrukturen und die Etablierung einer CMOS-integrierbaren SiGeSn-Bauelementtechnologieplattform durch Optimierung der Materialherstellung und Entwicklung einer geeigneten Bauelementprozesstechnologie. Dieses Projekt wird in Kooperation mit Partnern der RWTH Aachen, dem Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in Frankfurt (Oder) und dem Forschungszentrum Jülich durchgeführt.

Laufzeit: Oktober 2019  - September 2023

Ziel dieses Projektes ist die Entwicklung eines elektrisch gepumpten Gruppe-IV-Lasers auf einer Silizium-Plattform. Für dessen Realisierung soll das ternäre Materialsystem SiGeSn verwendet werden. Dieses Projekt wird in Kooperation mit Partnern der RWTH Aachen, dem Forschungszentrum Jülich und dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik in Frankfurt (Oder) durchgeführt.

Laufzeit: Oktober 2016  - September 2022