Unsere neueste Forschung, veröffentlicht in „Advanced Electronic Materials“, untersucht, wie Oberflächenbehandlungen die Leistung von IGZO-basierten Memristoren präzise anpassen können, um den Anforderungen sowohl an digitale Speicher als auch an neuromorphe Rechner gerecht zu werden.
Durch den Einsatz von Ar-Plasma- und Ozonbehandlungen konnte unser Team das Schaltverhalten von W/IGZO/Pt-Geräten zwischen abrupt (ideal für digitale Speicher) und allmählich (gut für synaptische Geräte) einstellen. Wichtig ist, dass alle Geräte bei niedrigen Spannungen (≤ 1 V) eine zuverlässige Ausdauer und Datenretention zeigten. Diese Arbeit unterstreicht das Potenzial von IGZO als flexibles Material, das Speicher- und neuromorphe Rechenfunktionen auf einer einzigen Plattform vereint.
Mehr Infos unter https://doi.org/10.1002/aelm.70530
