Angebote für Bachelor - Arbeiten

	Aufbau und Charakterisierung eines optischen Hochfrequenz-Messplatzes
	Charakterisierung von Ge pin Detektoren unter hoher optischer Bestrahlung
	Entwicklung und Aufbau einer elektrischen 10GHz Leitung
	Entwicklung effizienter Einkoppelstrukturen für die on-chip Kommunikation
	Berechnungen zur Umsetzung und Dimensionierung von SiGe-Spin-FETs
	Entwicklung eines Lift-Off-Prozesses für Elektronenstrahllithografie
	Charakterisierung von thermischen Oxiden
	Planarisierung von Dioden mit Spin-On-Glass zur Aufbringung plasmonischer Koppelstrukturen
	Entwicklung eines CMP-Prozesses für vertikale Tunneltransistoren

Angebote für Diplomarbeiten / Master - Arbeiten

	Entwicklung neuartiger optischer Detektoren aus Germanium/Zinn-Legierungen
	Entwicklung von Germanium Photodetektoren auf implantierten Silizium Substraten
	Simulation der elektrischen Eigenschaften und des Herstellungsprozesses von Si & Ge pin Dioden
	Aufbringung dünner magnetischer Schichten mittels Elektronenstrahlverdampfung
	Strukturierung von Tunneltransistoren mit TMAH/KOH

Aktuell laufende Arbeiten

	Charakterisierung von SiGe Multi-Quantum-Well Modulatoren
	Herstellung und Optimierung eines Germanium-Zinn-Detektors
	Einbau von Zinn in eine Germaniummatrix durch Sekundärionenimplantation
	Entwicklung einer Prozessfolge für plasmonische Koppelstrukturen
	Strukturierung von Metall-Halbleiter-Kontakten für SB-MOSFETs und Spininjektion in Germanium
	Herstellung von Metall-Halbleiter-Kontakten für SB-MOSFETs und Spininjektion Germanium
	Charakterisierung von Resists für hochauflösende Elektronenstrahllithografie
	Herstellung und Charakterisierung vertikaler PDB-FETs
	Simulation, Herstellung und Charakterisierung einer RCE Ge LED
	Aufbau und Demonstration neuartiger SRAMs mit Silizium basierten Esaki Tunneldioden
	Herstellung und Charakterisierung heteroepitaktischer Germanium-Zinn-Kristalle für neuartige optische Detektoren und LEDs
	Selbstorganisiertes Wachstum von Sub-20 nm-Germanium-Quantenpunkten auf vorstrukturierten Silizium-Substraten
	Herstellung und Charakterisierung vertikaler Tunneltransistoren
	Analyse von Germanium Quantendot Esaki-Tunneldioden

Abgeschlossene Arbeiten

	Charakterisierung einer optischen "On-Chip"-Übertragungsstrecke
	110 GHz-Hochfrequenzmessungen an Germanium-Photodetektoren
	Herstellung und Charakterisierung von Absorptionsmodulatoren
	Schottky-Barrier MOSFET mit Nickel-Salicide Technologie
	Schottky-Barrier MOSFET mit Elektronenstrahllithographie
	Untersuchung der Hochfrequenz-Eigenschaften von Silizium-Esaki-Tunneldioden
	Entwicklung und Aufbau einer optischen On-Chip Signalübertragungsstrecke und eines optischen Messplatzes
	Planarisierungsmethoden für die Entwicklung des vertikalen Transistors
	Entwicklung und Aufbau neuartiger SRAMs mit Silizium-basierten Esaki-Tunneldioden
	Concept Study on Hybrid Silicon/Organic and Germanium/Organic Solar Cells
	Reaktives Ionenätzen von Si/Ge Heterostrukturen
	Entwicklung einer Steuer- und Prozessüberwachungs-Software für eine Silizium-Germanium-Zinn-Molekularstrahlepitaxie-Anlage
	Optimierung des internen Signalweges von Germanium Photodetektoren
	Untersuchung der optischen und elektrischen Eigenschaften von Siliziumdioxid
	Untersuchung der Kontakteigenschaften von Aluminium auf Germanium

Diplom- und Studienarbeiten im Rahmen der Kooperation Mikro & Optoelektronik