Qualifikationsarbeiten
Das Thema der angebotenen Qualifikationsarbeit kann in Bezug auf Umfang und Grad der Anforderungen wahlweise zu einer Studien-, Bachelor-, Forschungs-, Diplom- oder Masterarbeit ausgestaltet werden.
Angebote für Qualifikationsarbeiten
- Wachstum und Charakterisierung heteroepitaktischer Germanium-Zinn-Kristalle
- MATLAB-Simulationen von elektro-optischen Effekten an der Bandkante von Germanium
- Charakterisierung von optischen on-chip Übertragungsstrecken
- Technologieentwicklung für Pillar-Tunnel-FETs und TFET-Modellierung und -Simulation
- Herstellung und Charakterisierung von SiGe-Heterostrukturen in PIN-Dioden und Tunnel-FETs
- Charakterisierung von "High-k"-Gate-Oxiden
Aktuell laufende Qualifikationsarbeiten
Stud.-, B.Sc.- und Forschungs-Arbeiten
- Herstellung und Charakterisierung von Germanium-pn-LEDs
- Herstellung und Charakterisierung einer RCE Ge LED
- Untersuchung des Einflusses einer n-Typ Dotierung auf die Eigenschaften von Ge LEDs
- Charakterisierung von Ge pin Detektoren unter hoher optischer Bestrahlung
- Aufbau und Charakterisierung eines optischen Hochfrequenz-Messplatzes
- Entwicklung und Aufbau eines Auswahltransistors für TSRAMs
- Herstellung und Optimierung eines Germanium-Zinn-Detektors
- CMOS-kompatible Wellenleiter für elektrische Detektion von Plasmonen
M.Sc.- und Dipl.-Arbeiten
- Entwicklung neuartiger optischer Detektoren aus Germanium/Zinn-Legierungen
- Simulation der elektrischen Eigenschaften und des Herstellungsprozesses von Si & Ge pin Dioden
- Strukturierung von Metall-Halbleiter-Kontakten für SB-MOSFETs und Spininjektion in Germanium
- Herstellung von Metall-Halbleiter-Kontakten für SB-MOSFETs und Spininjektion Germanium
- Entwicklung eines Prozesses zur Strukturierung von Kontakten für Spinijektion
- Herstellung, Charakterisierung und Modellierung von Silizium-Tunneltransistoren
Abgeschlossene Qualifikationsarbeiten
Kürzliche abgeschlossene Arbeiten
- Passivierungsoxide für die Herstellung von Germanium-Zinn-Detektoren
- Einbau von Zinn in eine Germaniummatrix durch Sekundärionenimplantation
- Entwicklung einer Prozessfolge für plasmonische Koppelstrukturen
- Simulation und Dimensionierung von Leistungsbauelementen und Herstellung einer Leistungsdiode mit 80 µm ìm Membran als Driftzone
- Spintransistor-Konzept nach Datta und Das
- Charakterisierung von Resists für hochauflösende Elektronenstrahllithografie
- Analyse von Germanium Quantendot Esaki-Tunneldioden
- Simulation, Herstellung und Charakterisierung einer RCE Ge LED
- Herstellung und Charakterisierung heteroepitaktischer Germanium-Zinn-Kristalle für neuartige optische Detektoren und LEDs
- Charakterisierung von SiGe Multi-Quantum-Well Modulatoren
- 110 GHz-Hochfrequenzmessungen an Germanium-Photodetektoren
- Charakterisierung einer optischen "On-Chip"-Übertragungsstrecke
- Aufbau und Demonstration neuartiger SRAMs mit Silizium basierten Esaki Tunneldioden
- Herstellung und Charakterisierung von Absorptionsmodulatoren
- Schottky-Barrier MOSFET mit Nickel-Salicide Technologie
- Schottky-Barrier MOSFET mit Elektronenstrahllithographie
- Untersuchung der Hochfrequenz-Eigenschaften von Silizium-Esaki-Tunneldioden
- Entwicklung und Aufbau einer optischen On-Chip Signalübertragungsstrecke und eines optischen Messplatzes
- Planarisierungsmethoden für die Entwicklung des vertikalen Transistors
- Entwicklung und Aufbau neuartiger SRAMs mit Silizium-basierten Esaki-Tunneldioden
- Concept Study on Hybrid Silicon/Organic and Germanium/Organic Solar Cells
-
Reaktives Ionenätzen von Si/Ge Heterostrukturen
- Entwicklung einer Steuer- und Prozessüberwachungs-Software für eine Silizium-Germanium-Zinn-Molekularstrahlepitaxie-Anlage
- Optimierung des internen Signalweges von Germanium Photodetektoren
- Untersuchung der optischen und elektrischen Eigenschaften von Siliziumdioxid
- Untersuchung der Kontakteigenschaften von Aluminium auf Germanium