Ziel der Forschung am IHT...
ist die Optimierung von bestehenden und die Erforschung neuartiger Bauelementkonzepte für modernste Logik-, Speicher- und leistungselektronischen Anwendungen auf Grundlage der neuesten quantenelektronischen Erkenntnisse.
Dabei stellt die siliziumbasierte Kristallzucht mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE, engl. Molecular Beam Epitaxy) des Komeptenzfeldes Gruppe-IV-Heteroepitaxie das Rückgrat der Bauelementforschung dar.
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In Kombination mit einer etablierten CMOS-kompatiblen Reinraumtechnologielinie und einer vielfältigen Analytik konzentriert sich die Bauelementforschung am Institut auf den Übergang von der heutigen Mikro- bzw. Nanoelektronik hinzu einer zukünftigen Quantenelektronik.
Ihre Ansprechpartner
Michael Oehme
Dr.Akademischer Oberrat / Stellvertretende Institutsleitung
Daniel Schwarz
Dr.Postdoktorand